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华力微电子55nm ULP 工艺勇夺金奖 工信部领导亲临展台视察

发布时间: 2017-04-10

 

 2017年4月9日,正在深圳举行的CITE 2017 暨第五届中国电子信息博览会传来捷报,华力微电子参加评选的55nm 超低功耗工艺(以下简称 “55nm ULP”)勇夺组委会颁发的CITE2017创新产品与应用金奖。

           

 此次获得CITE2017创新产品与应用金奖的55nm ULP工艺平台是在华力成熟的55nm LP工艺平台的基础上,通过一系列的工艺改善与器件性能提升后得以稳定,其功耗相较传统的55nm LP,核心工作电压降低约30%,工作功耗降低约20%,通过提供eHvt和eLvt核心器件满足联网应用需求;支持核心工作电压最低调降至0.9V。该工艺技术已成功量产,未来将结合射频工艺以及嵌入式闪存工艺,提供客户完整的可穿戴式芯片方案。

 拥有多项专利的华力55nm ULP工艺平台从完整的设计和IP生态系统层面出发,从芯片整体设计考虑降低漏电,后期的封装环节依旧将降低漏电作为重要衡量指标,立足于提供物联网应用的完整的解决方案,具有卓越的功能适用性,属于国际领先、国内尖端的集成电路工艺技术。基于55nm ULP工艺平台开发的无线互联产品、NB-IOT产品和可穿戴设备,已成功帮助客户建立市场竞争力,减少了国内IC设计公司对国外此类工艺技术的依赖,满足了众多设计公司对本土芯片制造的实际需求。该奖项的获得使华力向业界展示了其在特色工艺方面的布局及成果,相信在广阔的物联网应用市场中,华力的55nm ULP工艺平台将满足更多客户的市场需求,带来更多的示范性商业合作。

 自成功跻身国内十大半导体制造企业后,华力得到了业界更多的关注。9日上午,工信部副部长刘利华、电子信息司司长刁石京、国家集成电路产业投资基金总经理丁文武等领导亲临华力展台视察。公司副总裁舒奇就此次华力携带的众多工艺产品以及多年来的研发成果和未来公司规划,为莅临指导的各位领导做了详实的介绍。

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